江蘇鎮(zhèn)江絕緣子鹽密度測(cè)試儀　相關(guān)術(shù)語(yǔ)：1、參照盤(pán)形懸式絕緣子 reference cap and pin insulatorXP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤(pán)形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。2、爬電距離 creepage distance在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的短距離。注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為相電壓）之比，mm/kV。4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。等值附鹽密度 絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。6、不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） ）絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 s）在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) s將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。10、帶電系數(shù)K1 同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)值之比，K1一般為 主測(cè)量界面圖2.2開(kāi)機(jī)，即為測(cè)量頁(yè)面，測(cè)量工作均在此頁(yè)面進(jìn)行，相關(guān)按鈕介紹見(jiàn)下表：按鈕名稱功能“參數(shù)切換至“參數(shù)設(shè)置界面記錄切換至“記錄查看界面”“校準(zhǔn)”校準(zhǔn)鹽密、灰密基準(zhǔn)值“攪拌”將溶液污穢物拌勻并測(cè)量灰密值“打印打印本次測(cè)量結(jié)果“保存”保存測(cè)試結(jié)果到內(nèi)存中

江蘇鎮(zhèn)江絕緣子鹽密度測(cè)試儀干燥將過(guò)濾后的濾紙順對(duì)折成90°后平放在干燥箱的擱板上，關(guān)好箱門(mén)。打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，儀器開(kāi)始加熱工作，溫控儀表開(kāi)始顯示工作室的溫度。干燥箱出廠時(shí)設(shè)置的溫度為130℃，干燥時(shí)長(zhǎng)為30-50分鐘?？梢愿鶕?jù)實(shí)際情況重新設(shè)置溫度和時(shí)長(zhǎng)，建議溫度不要超過(guò)150℃，否則可能引起濾紙燃燒。（詳見(jiàn)附錄C）工作完畢后，關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)即可。第五步：稱重將干燥后的濾紙和灰一同稱重。（天平的使用詳見(jiàn)附錄E）a)調(diào)水平：天平開(kāi)機(jī)前，應(yīng)觀察天平后部水平儀內(nèi)的水泡是否位于圓環(huán)的中央，否則通過(guò)天平的地腳螺栓調(diào)節(jié)，左旋升高，右旋下降。b)打開(kāi)電源，按〔ON/OFF〕鍵，開(kāi)啟天平，預(yù)熱30分鐘。c)天平校準(zhǔn)，先按“去皮”，再放入砝碼，然后取下砝碼，如果顯示值不為0，則再次按“去皮”。f)置入濾紙和灰，待g出現(xiàn)后，即是濾紙和灰的重量。g)稱量完畢，按〔ON/OFF〕鍵關(guān)機(jī)。第六步：計(jì)算使用以下公式計(jì)算：絕緣子表面附灰密度NSDD＝1000（Ms-Mf）/S。注：NSDD的單位為mg/ cm2 （毫克每平方厘米），Ms表示濾紙和灰一起稱重的質(zhì)量，單位為g，Mf表示過(guò)濾前濾紙和擦拭用紗巾質(zhì)量，單位為g，S表示絕緣子的表面積，單位為cm2。