對采集數(shù)據(jù)進(jìn)行形態(tài)學(xué)操作，得到內(nèi)部高能等離子體及電弧外部輪廓的時間-
面積變化曲線。從引弧、穩(wěn)定燃弧、熄弧及弧后介質(zhì)恢復(fù)四個角度，對不同階段的電弧面積變化做出定量分析，并探究電弧熄弧階段電弧內(nèi)外面積差變化。實驗表明，通過分析不同階段的等離子體形態(tài)變化，能夠找到電弧平穩(wěn)燃弧及弧后介質(zhì)恢復(fù)的關(guān)鍵點，為高壓等級真空斷路器研發(fā)設(shè)計及后期電弧形態(tài)診斷提供進(jìn)一步參考。  隨著我國電力系統(tǒng)的不斷發(fā)展，真空斷路器的生產(chǎn)數(shù)量逐漸超過中壓SF6開關(guān)。由于其體積小、開斷壽命長和電
流容量大等優(yōu)點，真空斷路器的應(yīng)用范圍越來越多向高壓、超高壓擴(kuò)展。真空電弧是斷路器觸頭斷開時，依靠蒸發(fā)金屬蒸氣并電離來維持的低溫等離子體，其形成、發(fā)展和后熄滅對開斷電路有著重要影響。研究真空電弧等離子體的形態(tài)特征，對斷路器電場、磁場設(shè)計有很好的指導(dǎo)作用。 通過對高速攝像機(jī)采集到一組真空電弧分析，t= 0.2～6.8 ms 為引弧和穩(wěn)定燃弧階段，此階段電弧形態(tài)主要為陰極斑點形成和電弧等離子體充滿真?zhèn)€觸頭間隙，因此時兩極不斷向間隙補(bǔ)充電子及高能粒子，故此時雖電弧整體輪廓不斷增大，但擴(kuò)散現(xiàn)象并不明顯。為更加清晰地展示內(nèi)外電弧幾何形態(tài)區(qū)別，本文主要對熄滅階段及弧后介質(zhì)恢復(fù)階段的電弧形態(tài)做出
后期處理，對穩(wěn)定燃弧階段的內(nèi)部高能等離子體形態(tài)未做出細(xì)節(jié)分析。t=6.9ms 開始為真空熄弧階段，內(nèi)外面積差開始激增，內(nèi)部高能等離子體面積逐漸減小，電弧外部輪廓在縱向磁場作用下維持?jǐn)U散狀態(tài)，其電弧原始圖像與內(nèi)部高能等離子體分布二值圖像如圖6。圖中可看出內(nèi)部高能電弧即將從兩極分?jǐn)嚅_來，外部電弧輪廓基本維持在穩(wěn)定擴(kuò)散狀態(tài)。  t = 7.5 ms 以后熄弧階段開始向弧后介質(zhì)恢復(fù)階段過渡，內(nèi)部等
離子面積分布迅速減小，外部電弧輪廓也出現(xiàn)縮小現(xiàn)象，

斷路器直流電阻增大的關(guān)鍵因素則是觸頭電磨損和斷路器觸頭開距的變化。  5、斷路器合閘跳時間增大  一般情況下，真空斷路器合閘時常常會出現(xiàn)觸頭跳的情況，然而如果說跳的范圍超出了規(guī)定的話就會造成觸頭燒傷或者熔焊?；尚阅芟陆?、拐臂和軸磨損往往會導(dǎo)致真空斷路器合閘跳時間的增長。  6、斷路器中間箱ct表面對支架放電  要斷路器對支架放電是由于電流互感器(ct)表面產(chǎn)生的不
均勻電場。真空斷路器中間箱裝有電流互感器，當(dāng)電流互感器不采取措施，在斷路器運(yùn)轉(zhuǎn)時ct表面就會產(chǎn)生不平衡的電場。因此要盡可能的阻止這樣的情況的出現(xiàn)就要在互感器出廠之前在其表面涂上一層半導(dǎo)體膠，這樣就可以保證電場平衡均勻。在裝配斷路器時若半導(dǎo)體膠要是受影響出現(xiàn)剝落的話依然會使得斷路器工作過程之中互感器表面出現(xiàn)不均勻電場，由此造成互感器表面對支架放電。  7、斷路器滅弧室不能斷開  一般
狀況下，造成斷路器電路斷開，電流切斷的主要原因是手動分閘操作以及保護(hù)動作跳閘。真空斷路器的滅弧原理區(qū)別于別的類型的斷路器，因為該斷路器一般是將真空作為絕緣及滅弧介質(zhì)。  真空泡的真空度要是無法滿足要求的話常常會促成真空泡內(nèi)出現(xiàn)電離，這必然會導(dǎo)致電離子出現(xiàn)，電離子無疑將減弱滅弧室內(nèi)絕緣作用，因為這些因素斷路器滅弧室就會一直處在連接狀態(tài)。  8、斷路器真空泡真空度降低  真空泡
的材質(zhì)要是出現(xiàn)了故障常常說明真空泡本身也出現(xiàn)的細(xì)小的漏點。真空泡內(nèi)波形管的材質(zhì)或制作裝配工藝出現(xiàn)故障的時候，由于真空滅弧室使用時期不斷的加長和開斷的次數(shù)增加真空度就會慢慢的減少，當(dāng)真空度下降到無法維持規(guī)定的度數(shù)的時候就會使得它自身的開斷能力減弱和耐壓水平降低。