不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質和均勻性,測試結果表明雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關的熒光峰.光激電流譜的測量結果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。
 深能級瞬態(tài)譜(DLTS),X射線衍射等方法分別研究了退火前后雙金屬復合耐磨管材料的性質和缺陷.結果表明受高溫熱激發(fā)作用部分鐵原子由替位轉變?yōu)樘钕?導致InP材料缺少深能級補償中心而發(fā)生導電類型轉變.通過比較摻雜、擴散和離子注入過程Fe原子的占位和情況分析了這一現(xiàn)象的機理和產生原因. 包括雙金屬復合耐磨管團狀結構位錯的產生及其對晶格完整性的影響,坑狀缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質的清洗腐蝕等.對雙金屬復合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途徑進行了分析.
在此基礎上獲得了“開盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面無損傷的InP單晶襯底拋光片.高溫退火后摻鐵半絕緣(SI)InP單晶轉變?yōu)閚型低阻材料.利用霍爾效應(Hall),熱激電流(TSC)。不銹鋼復合管復合管在儲存的時候應該注意哪些問題,首先就是不銹鋼復合管復合管在保存的時候一定要避免和有腐蝕作用的化學品放在一起.
如果泄露的話就會對不銹鋼復合管復合管產生侵蝕和破壞.不銹鋼復合管復合管在儲存的時候也應該避免長時間浸在水里，不銹鋼復合管的銹蝕非常慢，但如果時間與水接觸還是會影響到質量,而通風的目的就是為了避免不銹鋼復合管復合管長期處在潮濕的空氣里，能夠及時通風的話就可以把潮氣排走。
當然在下雨應該盡量做好防雨的工作.不銹鋼復合管復合管本身具有比較高的強度，因此通常都是采用堆垛碼放的。不過在碼放的時候也要遵從一定的原則，否則有可能會使鋼管形成損壞，或者取用的時候帶來不便。碼放不銹鋼復合管復合管的首要原則就是穩(wěn)定和。不銹鋼復合管復合管碼垛的下邊應該做好保護，是鋪上木材做成的底座.