保證其開斷時(shí)的滅弧性能和絕緣水平。隨著真空滅弧室使用時(shí)間的增長和開斷次數(shù)的增多， 以及受外界因素的作用， 其真空度逐步下降，其開斷性能也隨之降低，當(dāng)真空度低于1.3×10-2 Pa 時(shí)，將導(dǎo)致開斷和關(guān)合能力的不穩(wěn)定。因此應(yīng)注意下列幾點(diǎn)：  (1)真空滅弧室出廠時(shí)的真空度應(yīng)不低于1.3×10-5 Pa。  (2)出廠前
真空開關(guān)應(yīng)經(jīng)過嚴(yán)格的檢查和裝配，維修時(shí)應(yīng)緊固滅弧室的各螺栓，以保證其受力均勻。  (3)保證導(dǎo)電桿同心度的設(shè)計(jì)。如果可動(dòng)導(dǎo)電桿同心度調(diào)整不當(dāng)，將使陶瓷、法蘭—————金屬封接強(qiáng)度不夠穩(wěn)定，致使真空滅弧室漏氣。在錯(cuò)誤的操作過程中，易引起波紋管的扭曲變形。為防止這種現(xiàn)象，在動(dòng)導(dǎo)電桿的導(dǎo)向套部位可采用六邊形設(shè)計(jì)，花鍵連接設(shè)計(jì)。  (4)不得用任何外力碰撞真空滅弧室，嚴(yán)禁敲擊、手拍打，搬動(dòng)
及維護(hù)時(shí)不得受力。禁止把任何東西放在真空開關(guān)上，以防止落下時(shí)打壞真空滅弧室。  (5)裝調(diào)時(shí)如果發(fā)現(xiàn)螺紋配合不良，應(yīng)查原因后再處理，不要用很大力氣去擰動(dòng)真空滅弧室，防止波紋管受到損傷。  (6)嚴(yán)格控制觸頭行程。不能誤以為開距大對(duì)滅弧有利，而隨意增加真空開關(guān)的觸頭行程。因?yàn)檎婵臻_關(guān)的行程比較短。一般額定電壓為10～15kV 的真空開關(guān)觸頭行程僅為8～12mm， 觸頭超行程僅為2～3
mm。如果過多地增加觸頭的行程，會(huì)使開關(guān)合閘后，在波紋管上產(chǎn)生過大的應(yīng)力，引起波紋管損壞，破壞開關(guān)密封外殼內(nèi)的真空。分閘緩沖器的回不應(yīng)過大，過大會(huì)影響波紋管的壽命。  (7)合理的選擇使用和儲(chǔ)存環(huán)境，真空滅弧室的存放和使用環(huán)境中應(yīng)無化學(xué)腐蝕性氣體存在。真空滅弧室的波紋管大多數(shù)都是采用0.1~0.15mm 厚度的不銹鋼液壓成型的。高壓真空開關(guān)應(yīng)用環(huán)境的污穢等級(jí)、濕度、鹽霧等選擇不夠合適，有害
氣體、凝露造成波紋管點(diǎn)狀腐蝕，導(dǎo)致波紋管和蓋板及封接面的漏氣。  (8)定期進(jìn)行42kV 工頻耐壓試驗(yàn)。新裝后和運(yùn)行中應(yīng)結(jié)合驗(yàn)收和季節(jié)或年度性性試驗(yàn)對(duì)真空滅弧室斷口進(jìn)行工頻耐壓試驗(yàn)以檢驗(yàn)其真空度。  (9)觸頭磨損值，當(dāng)動(dòng)靜觸頭的總磨損量達(dá)到制造廠規(guī)定值時(shí)應(yīng)更換真空滅弧室。真空滅弧室的觸頭接觸面在經(jīng)過多次開斷電流后會(huì)逐漸磨損，觸頭行程增大，也就相當(dāng)波紋管的工作行程增大，因而波紋
管的壽命會(huì)迅速下降，通常允許觸頭磨損大值為3mm 左右。為了能夠準(zhǔn)確地控制每個(gè)真空滅弧室觸頭的磨損值，必須從滅弧室開始安裝使用時(shí)起，每次性試驗(yàn)或維護(hù)時(shí)，就準(zhǔn)確地測(cè)量開距和超程并進(jìn)行比較，當(dāng)觸頭磨損后累計(jì)減小值就是觸頭累計(jì)磨損值。當(dāng)累計(jì)磨損值達(dá)到或超過此值，真空滅弧室的開斷性能和導(dǎo)電性能都會(huì)下降，真空滅弧室的使用壽命即已到期。新一代高壓真空開關(guān)普遍使用縱向磁場滅弧原理和銅鉻觸頭材料，以減少觸頭
燒損和提高電氣使用壽命。2、操動(dòng)機(jī)構(gòu)配合  開關(guān)的分、合動(dòng)作是通過操動(dòng)機(jī)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)的，操動(dòng)機(jī)構(gòu)的工作性能和質(zhì)量的優(yōu)劣，對(duì)高壓開關(guān)的工作性能起著極為重要的作用。真空開關(guān)由于其真空滅弧性能的優(yōu)異， 使其開斷速度和電壽命大大增加。因此，與其配合的操動(dòng)機(jī)構(gòu)的機(jī)械動(dòng)作性能及可靠性就成了較為突出的問題。  在實(shí)際安裝和調(diào)試過程中，應(yīng)做到：

因此如何合理的設(shè)置鐵芯以及如何合理的設(shè)計(jì)鐵芯結(jié)構(gòu)成為提高真空滅弧室可靠性的關(guān)鍵。針對(duì)杯狀縱磁真空滅弧室觸頭，本文設(shè)計(jì)了兩種不同結(jié)構(gòu)的鐵芯，一種是結(jié)構(gòu)為環(huán)狀的鐵芯，為了減小渦流的影響，在環(huán)形鐵芯上開一個(gè)間隙為1 mm 的斷口;另一種結(jié)構(gòu)為圓周方向布置的柱狀鐵芯，柱狀鐵芯相互不接觸，因此可以更好的減小渦流的影響。采用有限元分析方法對(duì)比分析了兩種不同結(jié)構(gòu)鐵
芯對(duì)縱向磁場和剩余磁場以及磁場滯后時(shí)間的影響。  觸頭結(jié)構(gòu)模型  文中仿真所采用的兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的觸頭模型如圖1 所示，觸頭杯均有4 個(gè)杯指，為了防止觸頭片上產(chǎn)生渦流，對(duì)應(yīng)的在觸頭片上開有四個(gè)周向均勻布置的徑向直槽。觸頭外徑尺寸為78 mm，壁厚11 mm，弧柱直徑與觸頭外徑尺寸相同，柱狀鐵芯12 個(gè)，仿真模型中觸頭開距為10 mm，杯座材料為無氧銅，支撐盤材料為不銹鋼，觸頭片材觸頭在高真空中分離時(shí)，其電弧表現(xiàn)形式與外觀特性都與在空氣中的情形有較大區(qū)別。真空斷路器的擊穿機(jī)理目前主要有場致發(fā)射、粒撞擊和粒子交換
三種假說，在短間隙真空斷路器的相關(guān)研究中，通常由場致發(fā)射效應(yīng)占主導(dǎo)。在觸頭斷開時(shí)刻，整個(gè)陰極表面會(huì)產(chǎn)生金屬蒸氣。理論上是由于觸頭分開瞬間，電流集中在觸頭表面某點(diǎn)上，導(dǎo)致金屬橋熔化且部分金屬原子發(fā)生電離。隨著觸頭開距的增大，場致發(fā)射與間隙擊穿增強(qiáng)，觸頭表面金屬凸點(diǎn)不斷溶化并向觸頭間隙補(bǔ)充金屬粒子。此時(shí)陰極斑點(diǎn)會(huì)在陰極表面形成，并有更多的高能等離子體形成并擴(kuò)散至間隙內(nèi)。電弧引燃后，充滿等離子體的電極間
隙變成良好導(dǎo)體，同時(shí)陽極開始向電弧提供粒子。在縱向磁場作用下，電弧等離子體由觸頭中心向周圍擴(kuò)散，此過程會(huì)維持一段時(shí)間。對(duì)于交流真空斷路器而言，電流到達(dá)峰值后會(huì)逐漸減小，兩觸頭向等離子體提供的粒子同樣減少，此時(shí)電極間隙內(nèi)主要為弧后殘存粒子，伴隨著觸頭完全斷開，殘存粒子逐漸擴(kuò)散至消失，斷路器完成開斷。  真空電弧等離子體的產(chǎn)生過程，可以表現(xiàn)為觸頭開距增大、觸頭表面金屬蒸發(fā)，伴隨場致發(fā)射效應(yīng)和金
屬電離，由于兩極電子、金屬離子的不斷補(bǔ)充，終形成電弧。在電弧等離子體的研究方面，王景、武建文等運(yùn)用連續(xù)光譜法分析了電子溫度和電子密度，并討論了中頻情況下，電弧過渡及擴(kuò)散兩種形態(tài)。胡上茂、姚學(xué)玲等利用RC 阻容式電荷收集器，對(duì)初始等離子體的觸發(fā)特性進(jìn)行了研究。舒勝文、黃道春等通過對(duì)真空斷路器開斷過程的再研究，提出數(shù)值方針結(jié)合實(shí)驗(yàn)的方法，給出開斷過程不同階段所需的數(shù)值仿真方法及關(guān)注點(diǎn)。趙子玉等通過C
CD 攝像技術(shù)，分析了真空電弧的重燃及抑制措施