因此如何合理的設(shè)置鐵芯以及如何合理的設(shè)計(jì)鐵芯結(jié)構(gòu)成為提高真空滅弧室可靠性的關(guān)鍵。針對杯狀縱磁真空滅弧室觸頭，本文設(shè)計(jì)了兩種不同結(jié)構(gòu)的鐵芯，一種是結(jié)構(gòu)為環(huán)狀的鐵芯，為了減小渦流的影響，在環(huán)形鐵芯上開一個間隙為1 mm 的斷口;另一種結(jié)構(gòu)為圓周方向布置的柱狀鐵芯，柱狀鐵芯相互不接觸，因此可以更好的減小渦流的影響。采用有限元分析方法對比分析了兩種不同結(jié)構(gòu)鐵
芯對縱向磁場和剩余磁場以及磁場滯后時(shí)間的影響。  觸頭結(jié)構(gòu)模型  文中仿真所采用的兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的觸頭模型如圖1 所示，觸頭杯均有4 個杯指，為了防止觸頭片上產(chǎn)生渦流，對應(yīng)的在觸頭片上開有四個周向均勻布置的徑向直槽。觸頭外徑尺寸為78 mm，壁厚11 mm，弧柱直徑與觸頭外徑尺寸相同，柱狀鐵芯12 個，仿真模型中觸頭開距為10 mm，杯座材料為無氧銅，支撐盤材料為不銹鋼，觸頭片材觸頭在高真空中分離時(shí)，其電弧表現(xiàn)形式與外觀特性都與在空氣中的情形有較大區(qū)別。真空斷路器的擊穿機(jī)理目前主要有場致發(fā)射、粒撞擊和粒子交換
三種假說，在短間隙真空斷路器的相關(guān)研究中，通常由場致發(fā)射效應(yīng)占主導(dǎo)。在觸頭斷開時(shí)刻，整個陰極表面會產(chǎn)生金屬蒸氣。理論上是由于觸頭分開瞬間，電流集中在觸頭表面某點(diǎn)上，導(dǎo)致金屬橋熔化且部分金屬原子發(fā)生電離。隨著觸頭開距的增大，場致發(fā)射與間隙擊穿增強(qiáng)，觸頭表面金屬凸點(diǎn)不斷溶化并向觸頭間隙補(bǔ)充金屬粒子。此時(shí)陰極斑點(diǎn)會在陰極表面形成，并有更多的高能等離子體形成并擴(kuò)散至間隙內(nèi)。電弧引燃后，充滿等離子體的電極間
隙變成良好導(dǎo)體，同時(shí)陽極開始向電弧提供粒子。在縱向磁場作用下，電弧等離子體由觸頭中心向周圍擴(kuò)散，此過程會維持一段時(shí)間。對于交流真空斷路器而言，電流到達(dá)峰值后會逐漸減小，兩觸頭向等離子體提供的粒子同樣減少，此時(shí)電極間隙內(nèi)主要為弧后殘存粒子，伴隨著觸頭完全斷開，殘存粒子逐漸擴(kuò)散至消失，斷路器完成開斷。  真空電弧等離子體的產(chǎn)生過程，可以表現(xiàn)為觸頭開距增大、觸頭表面金屬蒸發(fā)，伴隨場致發(fā)射效應(yīng)和金
屬電離，由于兩極電子、金屬離子的不斷補(bǔ)充，終形成電弧。在電弧等離子體的研究方面，王景、武建文等運(yùn)用連續(xù)光譜法分析了電子溫度和電子密度，并討論了中頻情況下，電弧過渡及擴(kuò)散兩種形態(tài)。胡上茂、姚學(xué)玲等利用RC 阻容式電荷收集器，對初始等離子體的觸發(fā)特性進(jìn)行了研究。舒勝文、黃道春等通過對真空斷路器開斷過程的再研究，提出數(shù)值方針結(jié)合實(shí)驗(yàn)的方法，給出開斷過程不同階段所需的數(shù)值仿真方法及關(guān)注點(diǎn)。趙子玉等通過C
CD 攝像技術(shù)，分析了真空電弧的重燃及抑制措施

方面，被采用多的是Andrews和Varey提出的連續(xù)過渡模型。也有研究人員對該模型進(jìn)行了一些改進(jìn)，如引入二次電子發(fā)射、離子再生項(xiàng)等。參文根據(jù)真空斷路器電流零區(qū)特性與Langmuir探針在電氣特性上的相似企業(yè)，公司技術(shù)力量雄厚，設(shè)備配套完善，產(chǎn)品型號多樣，隨著公司的不斷發(fā)展，產(chǎn)品設(shè)計(jì)科學(xué)、制作精良、造型美觀，是現(xiàn)代電網(wǎng)建設(shè)的理想的配套產(chǎn)品，其中戶內(nèi)（外）真空斷路器，隔離開關(guān)，負(fù)荷開關(guān)，氧化鋅避雷器，熔斷器，穿墻套管，絕緣子，電流互感器，高壓電力計(jì)量箱等一系列高低壓電氣產(chǎn)品暢銷全國各地我們以“科技興業(yè)，質(zhì)量創(chuàng)牌，誠經(jīng)營，優(yōu)良服務(wù)”的企業(yè)宗旨；一直致力于追求卓越的民族電氣工業(yè)，為廣大新老用戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)而不懈努力，您的滿意始終是我們追求的目標(biāo)，真誠歡迎新老朋友惠顧，共創(chuàng)美好未來。性建立了基于Langmuir探針理論的弧后電流模型。該模型借助Langmuir探針理論中的等離子體鞘、預(yù)鞘、Bohm判據(jù)等理論，對電流零區(qū)中“TRV起始點(diǎn)滯后電流零點(diǎn)”的現(xiàn)象進(jìn)行了合理的解釋，這是連續(xù)過渡模型無法做到的。該模型相比連續(xù)過渡模型的另一個優(yōu)點(diǎn)是數(shù)值穩(wěn)定性更好，從而更易于編程實(shí)現(xiàn)和移植。此外，近年來隨著低溫等離子體數(shù)值模擬技術(shù)的不斷發(fā)展，粒子模擬、混合模擬等技術(shù)在真空斷路器弧后鞘層生長和弧后電流的數(shù)值 方面取得了較大的進(jìn)展。參文分析了弧后剩余電荷差異對雙斷口真空斷路器TRV分配的影響機(jī)理。由于真空斷路器廣泛被應(yīng)用于不同的開斷場合中，故有必要分析不同工況下真空斷路器中TRV與弧后電流的相互作用，由此進(jìn)一步分析它所面臨的開斷考驗(yàn)。本文首先在PSCAD/EMTDC中對基于Langmuir探針理論的弧后電流數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了Fortran編程實(shí)現(xiàn)，并采用相關(guān)文獻(xiàn)的試驗(yàn)結(jié)果對 結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。然后，將該模型植入到35kV中性點(diǎn)不接地系統(tǒng)中，分析了弧后電流對TRV的影響，以及短路故障類型、短路點(diǎn)位置、短路合閘相角系統(tǒng)等效電感、電容等網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對TRV和弧后電流的影響。 ，分析了真空斷路器切除電容器組時(shí)弧后電流對TRV和工頻恢復(fù)電壓的影響。4、結(jié)論1)在PSCAD/EMTDC中建立了基于Langmuir探針理論的弧后電流模型，試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了該 模型的有效性。2)真空斷路器