將成形實驗數(shù)據(jù)與Keeler公式結(jié)合計算得到材料的成形極限圖,結(jié)果顯示Keeler公式計算所得成形極限圖與實測值較為接近,可用于5Mn鋼的成形極限計算。65錳冷軋鋼板此外,為了研究剪切工藝對中錳鋼力學(xué)性能的影響,本文分別采用0.03t、0.05t、0.067t、0.10t、0.12t（t為板料厚度）五種不同間隙進(jìn)行沖裁,發(fā)現(xiàn)間隙為0.03t時5Mn中錳鋼邊部形貌 ,毛刺小且邊部影響區(qū)淺,力學(xué)性能也為優(yōu)異。0.12t間隙樣對應(yīng)毛刺 且邊部硬化為嚴(yán)重,因此力學(xué)性能差。為進(jìn)一步探究剪切工藝對5Mn鋼力學(xué)性能的影響,增加激光及線切割樣進(jìn)行對比。結(jié)果顯示激光切割同樣存在邊部硬化情況,但影響區(qū)很窄,對力學(xué)性能影響極小。

   65mn錳冷軋鋼板·線切割對材料邊部形貌基本無影響,對應(yīng)了 力學(xué)性能。后,為探究5Mn鋼的實際應(yīng)用潛力,進(jìn)行了汽車零件進(jìn)氣端錐的試制及仿真分析。試制結(jié)果顯示,5Mn鋼可滿足零件現(xiàn)有制造工藝要求,9道工序后未出現(xiàn)開裂情況,與現(xiàn)用材料304不銹鋼持平。通過Autoform軟件進(jìn)行仿真分析,結(jié)合成形極限分布分析,證明中錳鋼成形性能優(yōu)異,總體可滿足零件生產(chǎn)要求。

  為了減少馬氏體中錳鋼因韌塑性能不足而產(chǎn)生的開裂和磨損失效,本文利用淬火-配分（Q&P）工藝在馬氏體中錳鋼基體中引入一定體積分?jǐn)?shù)殘余奧氏體,借助OM、SEM觀察觀組織形貌,采用TEM、EBSD、XRD等技術(shù)分析殘余奧氏體形貌65錳冷軋鋼板、分布與體積分?jǐn)?shù),使用硬度計、65錳鋼板拉伸試驗機(jī)測試鋼的強(qiáng)韌性能,借助磨粒磨損試驗機(jī)測試鋼的抗磨損性能。研究了不同冷卻速率對相變行為的影響,淬火-配分（Q&P）工藝對組織演變、強(qiáng)度及磨損性能的影響。

2）選取機(jī)械性能 的兩種材料65mn錳冷軋鋼板0Si退火10min試樣、0.6Si退火30min試樣）,在1×10-4/s～1×10-1/s的應(yīng)變速率下進(jìn)行實驗,機(jī)械性能和斷裂行為的研究表明:隨著應(yīng)變速率的增加,由于TRIP效應(yīng)被抑制,0Si和0.6Si的抗拉強(qiáng)度和延伸率均大幅度降低,且0.6Si的延伸率降低的更快,比如:0Si的延伸率由44%下降至33%,0.6Si的延伸率由55%下降至35%。隨著應(yīng)變速率的增加,0Si的斷面收縮率基本不變（約為70%）,0.6Si的斷面收縮率大約由51%增加至72%。應(yīng)變速率并未影響0Si和0.6Si的斷裂行為。然而,隨著應(yīng)變速率的降低,表面裂紋的形核數(shù)量增加,擴(kuò)展速率降低;斷口的韌窩尺寸降低,二次裂紋數(shù)量和尺寸增加。

（3）選取四種材料（0Si和0.6Si均退火3min和30min試樣）,65錳鋼板系統(tǒng)的研究了成分和退火時間對氫脆性能和氫致斷裂行為的影響。關(guān)于退火時間:隨著退火時間的增加,0Si和0.6Si的氫脆敏感性均呈現(xiàn)上升趨勢,比如:當(dāng)退火3min時,0Si/0.6Si的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為13.5%/46.7%和0.0%/1.7%;當(dāng)退火30min時,0Si/0.6Si的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為79.2%/76.5%和26.8%/6.3%。關(guān)于成分:退火3min時,0Si的氫脆敏感性較低;退火30min時,0.6Si的氫脆敏感性較低。相比空拉斷裂行為而言,氫原子促進(jìn)裂紋更容易形核與擴(kuò)展,進(jìn)而導(dǎo)致材料提前斷裂。對于0Si:裂紋形核與氫原子無關(guān),但是,氫致裂紋呈沿晶和穿晶擴(kuò)展。對于0.6Si:裂紋形核與擴(kuò)展與氫原子無關(guān),斷口則由細(xì)小的韌窩變?yōu)榇嘈詼?zhǔn)解理。

5）在不劣化市售馬氏體材料（S0）65mn錳冷軋鋼板機(jī)械性能的基礎(chǔ)上,二次回火不同時間（30min,60min,120min）,試樣分別記為 S30、S60 和 S120,發(fā)現(xiàn),二次回火工藝可以有效地提高其抗氫脆性能,如下:S0和S60的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為100.0%/79.3%和35.9%/1.7%。二次回火試樣抗氫脆性能高的原因如下:1、不可逆氫陷阱MoyCx析出物的長大;2、滲碳體/基體界面的增加;滲碳體/基體應(yīng)變界面具有較高的陷阱能;3、位錯密度的降低。