Hastelloy C 是在Hastelloy B 合金的基礎(chǔ)上添加C r、W元素形成的, 是N i-C r合金和N i-Mo合金的兼容和優(yōu)化, ，鉻能在合金表面形成致密的氧化膜( 鈍化) ，提供抗氧化環(huán)境能力，鉬能提供抗還原環(huán)境能力。C 系列合金可以在氧化和還原狀態(tài)下，具有出色的耐點腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂性能在氧化性和還原性介質(zhì)中都具有很好的耐蝕性能以及耐局部腐蝕、耐氯化物應(yīng)力腐蝕破裂和海水的孔蝕。
Hastelloy C 與H astelloy B 一樣也有一些嚴(yán)重的缺點, 在苛刻的氧化介質(zhì)中, 這種合金的含鉻量不足以使其保持鈍化狀態(tài)而顯示出高的均勻腐蝕速率;更大的應(yīng)用障礙是焊接熱影響區(qū)在許多氧化性、低pH值、鹵化物環(huán)境中對晶間腐蝕很敏感。很多場合要求由Haste lloy C 合金制作的容器焊后必須經(jīng)過固溶處理熱影響區(qū)的偏析, 這嚴(yán)重限制了該合金的應(yīng)用。
哈氏合金

使用記憶合金智能墊片的經(jīng)濟(jì)效益 記憶合金智能墊片在一個110KV變電站項目中接頭約4500個用量為9000個。項目實施后，若按某接頭在正常負(fù)荷電流400安培情況下，當(dāng)接頭溫度超過45℃時，記憶合金墊片接頭與普通墊片接頭 溫差約25℃，對比試驗測得兩種接頭的接觸電阻。 鎳鈦銅鉻記憶合金多功能智能墊片,包括一體成型的鎳鈦銅鉻墊片本體,鎳鈦銅鉻墊片本體包括外端承壓面和內(nèi)端承壓面,外端承壓面包括承壓水平面和承壓弧形面,承壓水平面與承壓弧形面連接形成邊緣,且承壓水平面與內(nèi)端承壓面連接形成弧形內(nèi)壁,承壓弧形面與內(nèi)端承壓面連接形成弧形外壁.該智能墊片具有鎳鈦銅鉻墊片本體,不僅具有電力設(shè)備導(dǎo)體接頭松動發(fā)熱時自動回彈加壓重新緊固接頭,而且還具有預(yù)警,高導(dǎo)電率功能.設(shè)置承壓水平面,增加了該智能墊片與螺母的接觸面積,降低了電阻,進(jìn)一步提高了導(dǎo)電率.設(shè)置V型槽,具有很好的散熱功能.設(shè)置圓潤的弧形內(nèi)壁與弧形外壁,即便于填裝,而且不會造成人工裝填傷手,還具有散熱的功能. 哈氏合金