縱縫電焊焊接是在精密無(wú)縫鋼管對(duì)圓后開(kāi)展。由于立焊，焊絲熔融造成的熔滴不可以借助自身作用力掉入弧坑，關(guān)鍵靠電孤吹力，電磁感應(yīng)吸引力和金屬材料界面張力，驅(qū)使熔滴進(jìn)到弧坑。因而務(wù)必應(yīng)用短弧電焊焊接，弦長(zhǎng)維持在二分之一的焊絲直徑(意指應(yīng)用低氫型偏堿焊絲來(lái)講)。焊絲垂直平分焊接或略斜放，歪斜視角一般不超出15°。從上到下、按段、退焊，按段長(zhǎng)短，一般以400mm上下為宜，但如縱縫傾斜度形變很大，為使焊后有很大的反形變，以改進(jìn)傾斜度，也可適度變大按段長(zhǎng)短，不銹鋼管廠采用由精密無(wú)縫鋼管焊接正中間按段或不按段從下向上持續(xù)焊接。 層電焊焊接更為關(guān)鍵，焊縫空隙小的，沿焊接管理中心作平行線運(yùn)條，焊得薄些;空隙大的，可稍作曲線晃動(dòng)，以擴(kuò)寬焊縫，使其表層整平，不然，焊接兩側(cè)出現(xiàn)凹形，在電焊焊接第二層時(shí)非常容易造成焊瘤;部分空隙過(guò)大的，則要先加小電流量在兩邊沿焊縫噴焊，變小其空隙，隨后再焊正中間一道焊肉，以降低殘余應(yīng)力。但噴焊一部分，維護(hù)欠佳，非常容易造成出氣孔。 在電焊焊接剛開(kāi)始或在電焊焊接時(shí)要再次引弧時(shí)，焊絲均應(yīng)在起點(diǎn)焊前邊約10mm處引弧，引弧后，稍變長(zhǎng)電孤，引弧形坑處，鋪滿弧坑，再往前電焊焊接。 之后精密無(wú)縫鋼管各層電焊焊接可選用正半月形或折線型運(yùn)條，但焊至二側(cè)都應(yīng)稍加滯留，以確保有一定的焊道，防止焊瘤。當(dāng)焊至蓋整體面層前一層時(shí)，焊縫正中間要平，不必把二側(cè)焊縫邊燒毀，并空出2mm上下的深層，有利于電焊焊接蓋整體面層。因此，在焊接前，就應(yīng)依據(jù)焊縫薄厚和雙層焊的進(jìn)行，有方案的做出分配。蓋面焊選用反半月形運(yùn)條，從下向上，持續(xù)、勻稱(chēng)焊接。另外，焊接正中間要稍為高于，邊沿和對(duì)接焊縫光潔銜接，使焊接成形整平、美觀大方。

      現(xiàn)在很多的精密鋼管廠家對(duì)，其生產(chǎn)的異型管在出廠前都需要進(jìn)行鐵水包噴鎂脫硫工藝，這種工藝具有哪些不可比擬的優(yōu)點(diǎn)？下面我們來(lái)看看。1.脫硫劑單耗低，處理時(shí)間短。2.對(duì)環(huán)境污染小，更符合綠色環(huán)保的發(fā)展理念。3.易于進(jìn)行過(guò)程自動(dòng)控制，操作過(guò)程更加精準(zhǔn)，異型管生產(chǎn)效率得到了提高。4.綜合成本低，有利于增加企業(yè)效益。5.異型管鐵水溫度損失少，更加節(jié)能減排。6.形成渣量少，扒渣鐵損低。7.脫硫效率高，可根據(jù)冶煉異型管品種要求，鐵水硫含量可脫至任意水平，深度脫硫時(shí)達(dá)到ωS=0.005％以下，甚至ωS=0.002％以下。
       在精密鋼管進(jìn)行打磨過(guò)程中，常常會(huì)遇到翹邊的情況，這樣很大的程度上影響了我們的使用。因此做好相應(yīng)的措施是我們的面臨的問(wèn)題，接下來(lái)小編來(lái)介紹幾種防止出現(xiàn)翹邊情況的方法。1、適當(dāng)增加表層端部環(huán)氧粉末的預(yù)留長(zhǎng)度，可因鋼管堆放時(shí)間較長(zhǎng)，管端金屬腐蝕嚴(yán)重引起的翹邊。2、在露天堆放時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，應(yīng)在管端進(jìn)行遮蓋，防止雨水侵蝕，造成管端嚴(yán)重腐蝕。若管道現(xiàn)場(chǎng)施工周期較長(zhǎng)，可以在管端金屬裸露處涂刷可焊防銹漆，以防止鋼管在儲(chǔ)存期間因腐蝕引起翹邊。3、嚴(yán)格控制管端預(yù)留處焊縫余高的修磨質(zhì)量，在焊縫處表層坡口外與管體其他部位一樣，使環(huán)氧粉末保留長(zhǎng)度，以防止焊縫處環(huán)氧粉末底部先被腐蝕而引起鋼管翹邊。
       精密鋼管在生產(chǎn)加工中，可能會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)生低溫回火脆性，引起這個(gè)的原因有以下這兩種1.與滲碳體在低溫回火時(shí)以薄片狀在原奧氏體晶界析出，造成晶界脆化密切相關(guān)。2.雜質(zhì)元素磷等在原奧氏體晶界偏聚也是造成低溫回火脆性原因之一。含磷低于0.005%的高純精密鋼管并不產(chǎn)生低溫回火脆性。磷在火加熱時(shí)發(fā)生奧氏體晶界偏聚，淬火后保留下來(lái)。磷在原奧氏體晶界偏聚和滲碳體回火時(shí)在原奧氏體晶界析出，這兩個(gè)因素造成沿晶脆斷，促成了低溫回火脆性的發(fā)生。