主要是由于觸頭分開后殘余粒子定向移動(dòng)引起。經(jīng)過(guò)此階段后，內(nèi)部等離子體維持這一狀態(tài)而外部電弧開始對(duì)外擴(kuò)散，并在電流過(guò)零點(diǎn)以前擴(kuò)散完全。從二值圖像中可以看出，剩余粒子對(duì)電弧重燃起到很大作用。  3.3、對(duì)比實(shí)驗(yàn)  文中高速攝像機(jī)采集的電弧圖像為垂直拍攝方式，其中涉及到光強(qiáng)疊加與電弧徑向分布不均等問(wèn)
題。在擴(kuò)散型電弧數(shù)字采集過(guò)程中，圖像中內(nèi)部電弧達(dá)到光強(qiáng)飽和邊緣，但未超出實(shí)驗(yàn)可分析的灰度差范圍。為保證電弧等離子體幾何形態(tài)特征提取的準(zhǔn)確性，特采集小電流擴(kuò)散型電弧圖像作為對(duì)比實(shí)驗(yàn)，這里只分析熄弧階段的電弧等離子體特征，電弧熄弧階段等離子體形態(tài)如圖8。經(jīng)過(guò)對(duì)電弧圖像去噪聲及形態(tài)學(xué)處理，計(jì)算外部輪廓與內(nèi)部高能等離子體形態(tài)分布，其時(shí)間-面積曲線如圖9本文利用高速攝像機(jī)采集真空斷路器斷開時(shí)電弧形態(tài)，通過(guò)圖
像去噪、數(shù)字圖像形態(tài)學(xué)操作，用選定特殊閾值的方法對(duì)電弧外在輪廓及內(nèi)部高能等離子幾何形狀(主要為面積形狀) 進(jìn)行統(tǒng)計(jì)說(shuō)明，同時(shí)分析了內(nèi)部高能等離子體與電弧外在輪廓的關(guān)系，得到以下結(jié)論：  (1)伴隨著真空電弧引弧、平穩(wěn)燃弧、熄弧及弧后介質(zhì)恢復(fù)四階段，電弧等離子體面積形態(tài)可分為平穩(wěn)擴(kuò)散、迅速減小和后期維持三個(gè)階段。在平穩(wěn)擴(kuò)散階段內(nèi)部高能等離子體不斷得到補(bǔ)充，與電弧輪廓同比例增加。面積迅速減小階
段，觸頭逐漸停止向間隙提供粒子，內(nèi)部電弧在磁場(chǎng)作用下被擴(kuò)散至周圍，電弧開始熄滅。后期維持階段主要表現(xiàn)為殘余粒子和電荷鞘層。隨著殘余粒子的消散，介質(zhì)恢復(fù)不斷得到加強(qiáng)，此階段的電弧形態(tài)直接影響著重燃與否。  (2)通過(guò)電弧內(nèi)外面積差，可以看出真空斷路器是否熄弧完全。的分?jǐn)嚯娀”憩F(xiàn)為，電流過(guò)零點(diǎn)之后，面積差迅速增大，高能等離子體得不到有效補(bǔ)充; 達(dá)到峰值后，面積差迅速減小，使得殘余粒子快速擴(kuò)
散，為介質(zhì)恢復(fù)提供條件。  真空開關(guān)電弧等離子體幾何形態(tài)研究為真空技術(shù)網(wǎng)首發(fā)，轉(zhuǎn)電力系統(tǒng)運(yùn)行中經(jīng)常發(fā)生分、合閘線圈燒毀事故。當(dāng)電氣設(shè)備發(fā)生事故時(shí)，如果因高壓真空斷路器分閘回路斷線出現(xiàn)真空斷路器拒動(dòng)現(xiàn)象，將使事故擴(kuò)大，造成越級(jí)分閘致使大面積停電，甚至造成電力設(shè)備燒毀、火災(zāi)等嚴(yán)重后果。而合閘回路完整性破壞時(shí)，雖然所造成的危害比分閘回路完整性破壞時(shí)要小一些，但它也使得線路不能正常送電，妨礙了供電
可靠性的提高。所以很有必要對(duì)真空斷路器線圈燒毀原因進(jìn)行分析，積累了事故處理經(jīng)驗(yàn)，提出防范措施和技術(shù)改進(jìn)，為斷路器檢修工作提供工作參考。 

方面，被采用多的是Andrews和Varey提出的連續(xù)過(guò)渡模型。也有研究人員對(duì)該模型進(jìn)行了一些改進(jìn)，如引入二次電子發(fā)射、離子再生項(xiàng)等。參文根據(jù)真空斷路器電流零區(qū)特性與Langmuir探針在電氣特性上的相似企業(yè)，公司技術(shù)力量雄厚，設(shè)備配套完善，產(chǎn)品型號(hào)多樣，隨著公司的不斷發(fā)展，產(chǎn)品設(shè)計(jì)科學(xué)、制作精良、造型美觀，是現(xiàn)代電網(wǎng)建設(shè)的理想的配套產(chǎn)品，其中戶內(nèi)（外）真空斷路器，隔離開關(guān)，負(fù)荷開關(guān)，氧化鋅避雷器，熔斷器，穿墻套管，絕緣子，電流互感器，高壓電力計(jì)量箱等一系列高低壓電氣產(chǎn)品暢銷全國(guó)各地我們以“科技興業(yè)，質(zhì)量創(chuàng)牌，誠(chéng)經(jīng)營(yíng)，優(yōu)良服務(wù)”的企業(yè)宗旨；一直致力于追求卓越的民族電氣工業(yè)，為廣大新老用戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)而不懈努力，您的滿意始終是我們追求的目標(biāo)，真誠(chéng)歡迎新老朋友惠顧，共創(chuàng)美好未來(lái)。性建立了基于Langmuir探針理論的弧后電流模型。該模型借助Langmuir探針理論中的等離子體鞘、預(yù)鞘、Bohm判據(jù)等理論，對(duì)電流零區(qū)中“TRV起始點(diǎn)滯后電流零點(diǎn)”的現(xiàn)象進(jìn)行了合理的解釋，這是連續(xù)過(guò)渡模型無(wú)法做到的。該模型相比連續(xù)過(guò)渡模型的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是數(shù)值穩(wěn)定性更好，從而更易于編程實(shí)現(xiàn)和移植。此外，近年來(lái)隨著低溫等離子體數(shù)值模擬技術(shù)的不斷發(fā)展，粒子模擬、混合模擬等技術(shù)在真空斷路器弧后鞘層生長(zhǎng)和弧后電流的數(shù)值 方面取得了較大的進(jìn)展。參文分析了弧后剩余電荷差異對(duì)雙斷口真空斷路器TRV分配的影響機(jī)理。由于真空斷路器廣泛被應(yīng)用于不同的開斷場(chǎng)合中，故有必要分析不同工況下真空斷路器中TRV與弧后電流的相互作用，由此進(jìn)一步分析它所面臨的開斷考驗(yàn)。本文首先在PSCAD/EMTDC中對(duì)基于Langmuir探針理論的弧后電流數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了Fortran編程實(shí)現(xiàn)，并采用相關(guān)文獻(xiàn)的試驗(yàn)結(jié)果對(duì) 結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。然后，將該模型植入到35kV中性點(diǎn)不接地系統(tǒng)中，分析了弧后電流對(duì)TRV的影響，以及短路故障類型、短路點(diǎn)位置、短路合閘相角系統(tǒng)等效電感、電容等網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對(duì)TRV和弧后電流的影響。 ，分析了真空斷路器切除電容器組時(shí)弧后電流對(duì)TRV和工頻恢復(fù)電壓的影響。4、結(jié)論1)在PSCAD/EMTDC中建立了基于Langmuir探針理論的弧后電流模型，試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了該 模型的有效性。2)真空斷路器

并通過(guò)模擬滅弧室真空測(cè)量實(shí)驗(yàn)對(duì)分析結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證，借此探索出真空斷路器滅弧室內(nèi)真空度與滅弧室外電場(chǎng)電位間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，為實(shí)現(xiàn)真空斷路器高真空度在線監(jiān)測(cè)和狀態(tài)評(píng)估提供參考。目前真空斷路器憑借著優(yōu)越的性能而在中壓領(lǐng)域得到廣泛普及，并且正在不斷地向低壓領(lǐng)域和高壓領(lǐng)域進(jìn)軍，而真空滅弧室又被視為真空斷路器的核心部件，因此真空滅弧
室的研制和開發(fā)被學(xué)者們給予高度的重視。隨著當(dāng)今大氣環(huán)境質(zhì)量問(wèn)題越來(lái)越引起人們的高度重視，真空斷路器在未來(lái)完全替代SF6 斷路器將成為發(fā)展的必然趨勢(shì)。真空滅弧室對(duì)電弧的控制是通過(guò)電流流過(guò)觸頭時(shí)產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，不同結(jié)構(gòu)的觸頭可以產(chǎn)生不同方向的磁場(chǎng)。一種是產(chǎn)生橫向磁場(chǎng)并施加在真空電弧上來(lái)驅(qū)使集聚型電弧在洛倫茲力的作用下在觸頭的表面以極高的速度旋轉(zhuǎn)，減小陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)對(duì)電極表面的燒蝕時(shí)間;另一種是產(chǎn)
生縱向磁場(chǎng)并施加在真空電弧上以減小電弧的電流密度，使真空電弧在大電流情況下仍然保持?jǐn)U散形態(tài)。目前縱向磁場(chǎng)觸頭結(jié)構(gòu)在開斷大電流的真空滅弧室中應(yīng)用十分普遍，他具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造及加工成本低，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。  早期的縱磁觸頭結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生均勻的縱向磁場(chǎng)，使真空電弧在電流較大的情況下仍然可以保持?jǐn)U散形態(tài)，減少電弧集聚導(dǎo)致觸頭燒蝕的幾率，但是隨著開斷電流的繼續(xù)增大，觸頭產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)不能有效的控制
真空電弧形態(tài)以至于觸頭表面仍然會(huì)出現(xiàn)較為嚴(yán)重的燒蝕情況。鐵芯的加入大大的提高了縱向磁場(chǎng)的強(qiáng)度，使同樣結(jié)構(gòu)的觸頭可以產(chǎn)生更強(qiáng)的縱向磁場(chǎng)，從而有效的控制了真空電弧形態(tài)，提高了真空滅弧室的可靠性。然而鐵芯的加入在提高縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度的同時(shí)也帶來(lái)了一些負(fù)面的影響，在電流過(guò)零時(shí)磁場(chǎng)不能迅速消退，即電流過(guò)零時(shí)帶鐵芯的觸頭結(jié)構(gòu)較不帶鐵芯的觸頭結(jié)構(gòu)剩余磁場(chǎng)較大，這將抑制了觸頭間隙中等離子體的快速散去，在恢復(fù)電壓的作用
下極易發(fā)生復(fù)燃導(dǎo)致觸頭不能成功開斷