光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物完全氧化成無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理設(shè)備。 從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。

OC廢氣處理設(shè)備從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。

廢氣處理成套設(shè)備主要是運(yùn)用不同工藝技術(shù)，通過回收或去除減少排放尾氣的有害成分，達(dá)到保護(hù)環(huán)境、凈化空氣的一種環(huán)保設(shè)備，讓我們的環(huán)境不受到污染。吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對(duì)VOCs進(jìn)行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。 含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內(nèi)，在上升過程中與來自塔頂?shù)奈談┠媪鹘佑|，凈化后的氣體由塔頂排出。 廢氣處理成套設(shè)備 吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后，進(jìn)入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。 在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí)，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢氣時(shí)，吸附的對(duì)象是氣態(tài)污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質(zhì)，多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離，此現(xiàn)附。 當(dāng)吸附進(jìn)行一段時(shí)間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時(shí)需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個(gè)過程稱為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程，達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。