浙江臺(tái)州非線性電阻測(cè)試儀 青島天正華意電氣設(shè)備有限公司隨著進(jìn)口勵(lì)磁調(diào)節(jié)器在大容量發(fā)電機(jī)組中的大量選用，與之配套的碳化 硅滅磁電阻得到了較為普遍的應(yīng)用。由于用戶對(duì)這一元件的特性了解有限， 并且其應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)了諸多事故，尋求對(duì)其特性參數(shù)及其變化進(jìn)行測(cè)試的 有效手段已成為業(yè)內(nèi)共同關(guān)注的議題。 目前已知的測(cè)試方法有兩種，一種是實(shí)驗(yàn)室電感儲(chǔ)能放電法，一種是滅 磁系統(tǒng)在線測(cè)試法。前者工作效率低，測(cè)試成本高昂，平臺(tái)的可復(fù)制性差， 不易；后者需要對(duì)已安裝就緒的滅磁屏柜進(jìn)行改造，只能在實(shí)際滅磁或 發(fā)電機(jī)開(kāi)機(jī)試驗(yàn)時(shí)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試時(shí)機(jī)比較被動(dòng)。 TH-22 型非線性電阻測(cè)試儀采用獨(dú)創(chuàng)的電容儲(chǔ)能放電法，即將貯存在高 壓電容器上的電能通過(guò)可控硅在 SIC 滅磁電阻上進(jìn)行瞬時(shí)釋放，信號(hào)記錄單 元對(duì)放電過(guò)程中變化的電壓、電流進(jìn)行高速記錄，對(duì)記錄結(jié)果進(jìn)行處理后即 可完成 V/I 曲線顯示、特性參數(shù)計(jì)算、數(shù)據(jù)對(duì)比分析等任務(wù)。這一方法具有放 電峰值電壓較高、峰值電流較大，能耗小，被測(cè)電阻基本無(wú)溫升，可多次重 復(fù)等特點(diǎn)。 TH-22 可利用獲得的 V/I 關(guān)系曲線，計(jì)算組件的位形系數(shù)、非線性系數(shù) 等參數(shù)，計(jì)算室溫工況各種滅磁電壓下不同組件（或閥片）的均流系數(shù) 。 TH-22 所有電容器、電容器充電控制電路、可控硅、放電控制電路、信 號(hào)記錄單元均集成在一只便攜的儀器箱中，測(cè)試時(shí)無(wú)需從滅磁屏上拆下組件， 操作方便。 TH-22 設(shè)計(jì)了三種電流量限，既可測(cè)試不同型號(hào)的組件特性，又可測(cè)試 單一閥片的特性，適用于自并機(jī)及無(wú)刷勵(lì)磁均有應(yīng)用的核電廠。 TH-22 采用 win7 操作系統(tǒng)，具有 8 吋顯示屏及鼠標(biāo)鍵盤(pán)接口，所有數(shù) 據(jù)的顯示分析可直接在儀器上完成。

浙江臺(tái)州非線性電阻測(cè)試儀校驗(yàn)方法1、先進(jìn)行電壓校驗(yàn)，可用1000：1的示波器高壓探頭從輸出端“A”“K”（空載時(shí)）讀取實(shí)際電壓值VO，誤差＝（VO－VRM）/VO × 2、漏電流校驗(yàn)可直接用一標(biāo)準(zhǔn)電阻RO（例：100K/150W）接入設(shè)備的輸出端作為 被測(cè)負(fù)載，進(jìn)行測(cè)量操作,根據(jù)已校準(zhǔn)的電壓表的讀數(shù)計(jì)算出實(shí)際漏電流值IO（IO＝VO÷RO），誤差＝（IO－IRM ）/IO × 。九、及其它注意事項(xiàng)：1、本設(shè)備屬專業(yè)設(shè)備，操作者使用前需經(jīng)嚴(yán)格專業(yè)培訓(xùn)，未經(jīng)培訓(xùn)嚴(yán)禁使用本設(shè)備。測(cè)試時(shí)嚴(yán)禁用手觸摸被測(cè)及設(shè)備輸出部分，以防高壓觸電;2、必須使用帶良好接地端的外部電源。沒(méi)有接地的設(shè)備外殼可能帶電,甚至?xí)懈邏?請(qǐng)?zhí)貏e注意;3、測(cè)量時(shí)，輸出線與被測(cè)的連接要可靠,要保證不會(huì)突然脫開(kāi),有高壓時(shí),一般操作者不要觸摸測(cè)試儀的外殼。 4、在有高壓輸出時(shí),勿進(jìn)行切換正反向、電流換檔等設(shè)備操作;否則會(huì)產(chǎn)生人身和設(shè)備的問(wèn)題;5、凡操作者離開(kāi)設(shè)備時(shí)一定要關(guān)閉測(cè)量按鍵或關(guān)閉電源,以防止被誤碰撞等意外情況而產(chǎn)生的高壓?jiǎn)栴};6、測(cè)試輸出時(shí)，正向：陽(yáng)極為高壓端，陰極為低壓端；反向：陰極為高壓端，陽(yáng)極為低壓端;7、凡出現(xiàn)過(guò)流保護(hù)時(shí)必須將“電壓調(diào)節(jié)”調(diào)零。并確認(rèn)調(diào)零再按下復(fù)位按鈕。8、測(cè)試時(shí)間：當(dāng)電壓達(dá)到2kV(或更高)、漏電流50mA以下測(cè)試停留時(shí)間應(yīng)小于1分鐘/次;漏電流大于50mA時(shí)測(cè)試的停留時(shí)間應(yīng)小于10秒/次。高壓大電流狀態(tài)下停留時(shí)間長(zhǎng)，功耗大，將可能使儀器使用壽命縮短或燒毀器件等系列問(wèn)題發(fā)生;請(qǐng)使用者注意;9、設(shè)備周圍不能有強(qiáng)的電磁干擾源、熱源。以免產(chǎn)生測(cè)試不準(zhǔn)或其它問(wèn)題;10、本設(shè)備為精密儀器,使用過(guò)程中請(qǐng)注意輕拿輕放,