由于MAX810L的復(fù)位門檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為
高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開始工作并延時(shí)約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后，MAX810L一直監(jiān)測輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會導(dǎo)致輸出電壓下降，當(dāng)它低于MAX810L門檻電平時(shí)，MAX810L的輸出經(jīng)過20μs的延遲后由高變低
，從而關(guān)斷Q1并使負(fù)載斷開。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會高于其門檻電平，240ms的復(fù)位延遲時(shí)間后，MAX810L輸出再次由高變低，開通Q1并自動再次連通負(fù)載。上述過程會一直周期性重復(fù)下去，除非移去多余負(fù)載或?qū)AX668關(guān)閉使其停止工作。因此MAX810L和開關(guān)Q1一起構(gòu)成了一個(gè)固態(tài)開關(guān)（電子保險(xiǎn)絲）。保險(xiǎn)絲保險(xiǎn)絲MAX810L（功耗器件）具有非平衡推挽輸出級。當(dāng)對外
輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻；當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開關(guān)瞬態(tài)過程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。完全關(guān)斷同樣開關(guān)Q1
的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門檻電壓從而導(dǎo)致復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開通過程，合適地選擇R、C可使負(fù)載連接過程延續(xù)到幾個(gè)MAX668開關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長，同時(shí)也延長了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上
并聯(lián)一肖特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)），則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開關(guān)（MAX4544）可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)
端調(diào)節(jié)，該開關(guān)受控于MAX810L的輸出，