我國(guó)線路避雷器分有串聯(lián)間隙和無間隙兩大系列。撫順氧化鋅避雷器與上的不同之處是目前無間隙線路避雷器占50以上。＜br /＞ 2 線路避雷器設(shè)計(jì)技術(shù)＆emsp；＆emsp；無間隙線路避雷器的成功應(yīng)用得益于硅橡膠復(fù)合材料，它取代了原有瓷外套，使220kV避雷器的質(zhì)量從260kg降至50kg以下，從而實(shí)現(xiàn)在桿塔上懸掛安裝。有串聯(lián)間隙線路避雷器由避雷器本體和外串聯(lián)間隙組成。本體與普通的復(fù)合外套避雷器相當(dāng)，外串聯(lián)間隙（放電間隙）由兩個(gè)環(huán)–環(huán)或棒–棒型放電電極組成，如圖1所示。避雷器本體兩端采用金屬法蘭封口，內(nèi)部裝有非線性ZnO電阻片并＜br /＞ 用簧壓緊的環(huán)氧玻璃纖維布筒，其外部采用硅橡膠傘裙包封。這樣，避雷器大大減少了因“漏氣”而帶來的受潮問題。上、下法蘭設(shè)計(jì)了經(jīng)典的球頭、球窩，分別與高壓端、接地端連接。以2003年我國(guó)天生橋—廣州線投入使用的500kV有間隙線路避雷器設(shè)計(jì)為例，撫順氧化鋅避雷器除秉承電站避雷器技術(shù)基礎(chǔ)外，還必須解決如下8點(diǎn)關(guān)鍵技術(shù)問題：＆emsp；＆emsp；（1）優(yōu)良性能的硅橡膠復(fù)合外套 ＆emsp；＆emsp；采用硅橡膠等有機(jī)絕緣材料生產(chǎn)的避雷器復(fù)合外套必須＜br /＞ 具備耐天侯、抗紫外線、耐電蝕損等優(yōu)良性能。與瓷套相比，硅橡膠復(fù)合外套在重量、耐污性能上占有很大優(yōu)勢(shì)，詳見表1。復(fù)合外套可選用的材料、品種很多。我國(guó)主選材料為乙烯基硅橡膠，其分子結(jié)構(gòu)式如圖2 。由圖2可見，硅橡膠主鏈為Si—O鍵，鍵能高達(dá)445kJ/mol，遠(yuǎn)高于太陽(yáng)紫外線能量（398kJ/moI）。因此，避雷器于戶外長(zhǎng)期使用時(shí)紫外線不能斷開Si—O鍵，不發(fā)生硅橡膠開裂、“粉化” 現(xiàn)象。 （2）具＜br /＞ 備耐久性粘接技術(shù) ＆emsp；＆emsp； 撫順氧化鋅避雷器避雷器在多年使用中要經(jīng)受引 線拉力、線震、風(fēng)擺、冰雪等的作用。上、下法蘭與環(huán)氧玻璃纖維布筒的粘接部分是避雷器負(fù)載力傳遞區(qū)域，也是密封技術(shù)的薄弱環(huán)節(jié)。筆者認(rèn)為，采用高溫、度環(huán)氧澆合劑和倒錐形結(jié)構(gòu)是目前成功的設(shè)計(jì)之一，實(shí)踐也證明了這一點(diǎn)。 ＆emsp；＆emsp；（3）對(duì)接口的包封技術(shù)＆emsp；＆emsp； 包封硅橡膠復(fù)合外套上、下法蘭與環(huán)氧玻璃布筒連接的外露面是避雷器加強(qiáng)密封的良策，也是防止電蝕損的＜br /＞ 又一有效措施。目前許多國(guó)外同類產(chǎn)品在工藝上亦未能實(shí)現(xiàn)這樣的包封；但必須保證硅橡膠與法蘭各種金屬材料及熱處理后的鍍層之間有良好的粘合。此外，可在法蘭上增加一個(gè)下大上小的槽形結(jié)構(gòu)，以增強(qiáng)硅橡膠不出現(xiàn)脫膠的機(jī)械應(yīng)力。＆emsp；＆emsp；（4）防技術(shù)＆emsp；＆emsp；為取得良好的防性能可在模壓硫化傘裙前將環(huán)氧玻璃纖維筒加工出長(zhǎng)條梯形槽，并用專用楔形嵌件堵緊。梯形槽在避雷器故障時(shí)起排氣作用，楔形嵌件保證注塑時(shí)硅橡膠不至于進(jìn)入環(huán)氧＜br /＞ 玻璃纖維布筒內(nèi)腔。梯形槽的長(zhǎng)度、數(shù)量、防力須經(jīng)嚴(yán)格計(jì)算及試驗(yàn)求得。該型避雷器在中國(guó)及都通過了40kA和800A的短路電流試驗(yàn)。＆emsp；＆emsp；（5）吸收能量校核＆emsp；＆emsp；有間隙線路避雷器由避雷器本體和外串聯(lián)間隙構(gòu)成。正常運(yùn)行工況下避雷器本體的荷電率為10以下，它主要承受雷擊過電壓，因此對(duì)它的其他技術(shù)性能要求大為降低。避雷器電阻片承受雷擊過電壓的能力極強(qiáng)，直徑50mm的電阻片即能承受4/10ms、100kA＜br /＞ 大電流沖擊，其技術(shù)特性參見表2。330kV、500kV線路避雷器的突出技術(shù)問題是電位分布不均勻。與瓷套式避雷器不同，它是懸掛在空中的，必須采用三維電場(chǎng)、用有限元法計(jì)算其電位分布[5]。